삼성전자·TSMC – 엔비디아 맞춤형 HBM ‘NVHBM’, 베이스다이에 TSMC 3나노 공정 적용 추진

💻 삼성전자·TSMC – 엔비디아 맞춤형 HBM ‘NVHBM’, 베이스다이에 TSMC 3나노 공정 적용 추진 https://en.sedaily.com/finance/2026/10/18/samsung-to-use-tsmc-for-base-die-in-nvidias-custom-hbm 엔비디아가 차세대 맞춤형 HBM인 NVHBM의 제조공정까지 표준화를 요구하면서, 삼성전자도 기존 턴키 전략을 일부 수정해 TSMC 3나노 공정을 활용 📌 엔비디아, NVHBM 제조공정 표준화 요구 엔비디아가 삼성전자·SK하이닉스·마이크론에 차세대 맞춤형 HBM인 ‘NVHBM’의 제조공정 통일을 요청 베이스다이는 TSMC 3나노, 메모리 코어다이는 6세대 1c D램 공정 적용 요구 NVHBM은 HBM4E 기반의 엔비디아 맞춤형 메모리 📌 삼성, 자체 파운드리 대신 TSMC 활용 삼성전자는 기존 HBM에서 코어다이와 베이스다이를 모두 자체 생산하는 턴키 전략 유지 하지만 NVHBM에서는 엔비디아 요구에 따라 TSMC에서 베이스다이를 생산하는 방안 수용 삼성과 TSMC가 HBM 패키징 호환성을 넘어 제조 단계에서 협력하는 첫 사례 📌 핵심은 3사 HBM의 성능·검증 표준화 엔비디아가 공정 통일을 요구한 이유: 공급사별 제조방식 차이로 인한 성능 편차를 줄이기 위해 동일한 베이스다이 설계와 공정을 적용하면 공급사별 별도 검증 부담도 완화 가능 HBM 경쟁이 개별 메모리 업체의 기술력뿐 아니라 엔비디아가 주도하는 설계·공정 표준화로 확대되는 흐름 📌 일반 HBM은 삼성 턴키 전략 유지 삼성은 HBM4·HBM4E 베이스다이에 자체 4나노 공정을 적용하는 기존 전략 유지 AMD 등 다른 고객사의 맞춤형 HBM에도 자체 파운드리 활용 계획 NVHBM 역시 TSMC 생산능력 부족에 대비해 삼성 자체 파운드리 생산 가능성을 병행 검증 중 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi