삼성, 900단 V-NAND 프로토타입 테스트 성공... 낸드 경쟁 구도 재편 가능성

>>삼성, 900단 V-NAND 프로토타입 테스트 성공... 낸드 경쟁 구도 재편 가능성 •삼성전자가 세계 최초로 900단 V-NAND 프로토타입 시스템 구현에 성공했음. 이는 현재 양산 최고 수준인 321단을 크게 넘어서는 수준이며, 실제 구동 능력까지 검증한 것으로 전해졌음. •삼성은 CMB 기술을 활용해 적층 물리 한계를 돌파했으며, 이를 통해 차세대 메모리 경쟁에서 기술 우위를 확보할 가능성이 제기되고 있음. •시장에서는 삼성의 이번 성과가 메모리 기술 주도권 회복으로 이어질 수 있으며, AI 서버 및 고성능 스토리지 시장에서 더 높은 진입장벽 구축에도 도움이 될 것으로 보고 있음 >三星实现900层V-NAND原型测试,有望重塑闪存竞争格局 https://wallstreetcn.com/articles/3773082#from=ios