[단독] D램 ‘마의 10나노 벽’ 뚫은 삼성전자...첫 워킹다이 뽑았다

💻 [단독] D램 ‘마의 10나노 벽’ 뚫은 삼성전자...첫 워킹다이 뽑았다 https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=55628 📌 세계 최초 한 자릿수 나노 D램 워킹다이 확보 삼성전자가 10a 공정(10nm 이하 첫 노드) 적용 D램에서 정상 동작 시제품(워킹다이)을 확보한 것으로 전해짐 업계 추정 실제 선폭은 9.5~9.7nm 수준 개발 단계에서 워킹다이 확보는 설계·공정 방향성이 맞다는 핵심 신호 📌 차세대 핵심 기술 첫 적용 이번 10a D램에는 처음으로 4F2 셀 구조 + VCT(수직채널트랜지스터) 적용 기존 6F2 대비 셀 면적 축소로 동일 면적에서 더 많은 셀 집적 가능 📌 성능·원가 경쟁력 기대 이론상 셀 집적도 30~50% 증가 용량 확대, 속도 향상, 전력효율 개선 기대 D램 미세공정 한계를 넘기 위한 구조 혁신으로 평가 📌 3D D램 전환 교두보 업계는 이번 기술이 향후 3D D램 전환 기반 기술이라고 평가 삼성은 10d 세대부터 3D D램으로 넘어갈 가능성 📌 삼성 로드맵 26년 개발 완료, 27년 품질 테스트, 28년 양산 라인 이관 목표 10a·10b·10c 세대까지 해당 구조 활용 예정 📌 경쟁사 동향 SK하이닉스는 10b 노드부터 유사 구조 적용 추진 마이크론·중국 업체는 일부 단계를 건너뛰고 직행형 3D D램 전략 검토 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi