[SK증권 반도체 한동희]

2025.11.11 주요 뉴스 Micron 뉴욕 메가 팹, 1차 가동 2030년 말로 2~3년 지연 전망 Micron이 뉴욕 클레이 지역 팹 1·2호기 착공을 2026년 2분기로 조정하고, 실제 양산은 2030년 말로 미뤄지면서 8년 만에 가동 조건을 충족해야 하는 구조로 재편 https://buly.kr/58TH1OE TSMC, 대만서 12개 신규 첨단공정·패키징 팹 건설 계획 TSMC가 N2(2 nm) 공급 부족 대응을 위해 대만 내 첨단공정 및 패키징 분야에 총 12개 팹을 신설할 계획이며, 이를 통해 글로벌 AI 칩·패키징 시장에서의 선도적 위치를 재확인하려는 전략 https://buly.kr/E79v2zX 삼성전자, LPDDR6 제원 공개 — 12 nm·10.7 Gbps부터 14 Gbps까지 전망 삼성전자가 12 nm 공정 기반 LPDDR6 메모리를 공개하며 초당 10.7 Gbps 속도를 달성했고, 향후 14 Gbps 이상으로 속도 확장을 노리고 있음. 모바일·엣지·온디바이스 AI 워크로드 대응을 겨냥한 차세대 DRAM으로, 이전세대 대비 약 21% 향상된 에너지 효율과 보안 기능 강화가 특징 https://buly.kr/FWTytVv TSMC의 CoWoS 공급부족, 미국 AI 칩기업들을 파워텍(Powertech)으로 2027년까지 이동 압박 TSMC의 고급 패키징 기술 CoWoS가 급증한 AI 수요를 따라잡지 못하면서, 미국 AI 칩 업체들이 2027년까지 TSMC 대신 파워텍(Powertech) 등 대안 OSAT 업체로 이전할 가능성이 상승 https://buly.kr/BpG4INR ASML EUV 우위, 초정밀 모듈 분업 생태계가 본질 ASML의 EUV 장비는 광원·반사경·스테이지 등 수만~수십만개 단위의 초정밀 모듈을Zeiss·Trumpf·Cymer 등 글로벌 파트너사가 분업 공급하는 구조가 핵심 경쟁력으로 평가됨. TrendForce는 이 장기 누적 공정 DB + 폐쇄적 서플라이 체인 조합이 “복제가 불가능한 진입장벽”이며 중국이 단기간 따라올 수 없는 영역이라고 지적 https://buly.kr/8Iwug6T 중국 반도체 가격 급등 — DRAM·NAND·NOR 모두 동반 상승 중국 시장에서 DRAM 및 NAND 공급 부족이 심각해지면서 일부 NOR 플래시 가격이 한 분기 내에 최소 10% 이상, 많게는 30% 이상까지 급등하고 있으며 메모리 공급망 전체가 과열 상태에 진입했다는 분석 https://buly.kr/APw0S1X SK하이닉스, D램·낸드 적층한 ‘고대역폭스토리지(HBS)’ 개발 SK하이닉스가 저전력 와이드 입출력(LPWIO) D램과 낸드를 수직 연결하는 VFO 패키징 기술 기반으로 최대 16개 층 적층된 HBS를 개발 중이며, 온디바이스 AI·모바일 AI 성능 강화를 겨냥한 전략적 신메모리 제품 https://buly.kr/2Jp9Kia 삼성·SK 메모리 팹 가동률 상승... 소재·부품 업계도 증산 본격화 AI 인프라 수요 급증으로 삼성전자 및 SK하이닉스가 3분기 D램·낸드 팹 투입량을 확대하며, 특히 삼성전자는 8세대 낸드 팹 가동률을 전분기 대비 10% 이상 끌어올린 것으로 파악됨. 이에 메모리 소재·부품 공급업체들도 하반기부터 관련 매출 증가세를 보이며 증산 체제를 본격화 https://buly.kr/2qZQ3wG * SK증권 리서치 IT팀 채널 : https://t.me/skitteam