10월 2주차, 한 주간 반도체 소부장 섹터 핵심 정리

💻 10월 2주차, 한 주간 반도체 소부장 섹터 핵심 정리 📌 SK하이닉스, HBM4 후공정 장비 일부 입고 내년 이연 가능성...범용 D램 투자 확대 여부 주목 📌 ASML, 3분기 매출 117억유로 사상 최대...일부 고객은 2029~2030년 장비 주문까지 문의 📌 삼성전자, 장비 협력사에 AI 예지보전 기능 강화 요구...반도체 팹 무인화 가속 📌 중국 CXMT, 4F2 기반 서버용 DDR5 RDIMM 연내 출시 예고...차세대 D램 구조 경쟁 본격화 🔎 이번 주 포커스: CXMT의 4F2 D램이 소부장 공정을 어떻게 바꿀까 • 기존 D램은 약 20년간 6F2 셀 구조를 사용했지만, 4F2는 트랜지스터를 수직으로 세워 셀 면적을 이론상 약 33% 줄이는 차세대 구조 • CXMT는 자체 VSG 트랜지스터를 적용한 4F2 서버용 DDR5를 연내 선보이겠다고 발표했지만 수율·생산량·고객사는 아직 비공개 • 삼성전자와 SK하이닉스 역시 4F2 수직 트랜지스터와 웨이퍼 본딩 기술을 개발 중으로, 본격적인 구조 전환 경쟁이 시작되는 모습 • 4F2 전환에는 고종횡비 식각과 IGZO·몰리브덴 등 신소재뿐 아니라 셀과 주변회로 웨이퍼를 붙이는 W2W 하이브리드 본딩이 중요해질 전망 • 이에 따라 CMP·플라즈마 표면처리·본딩·열처리뿐 아니라 보이드와 정렬 오차를 확인하는 비파괴 검사·계측 장비의 중요성도 확대 • 다만 CXMT는 EUV 없이 멀티패터닝에 의존하고 있어 실제 서버 고객 인증과 양산 수율 확보 여부가 기술 경쟁력 판단의 핵심 🔥 한 주 동안의 반도체 소부장 흐름과 함께 CXMT가 발표한 4F2 D램이 기존 D램과 무엇이 다른지 그리고 구조 전환이 식각·소재·하이브리드 본딩·검사 장비에 어떤 새로운 수요를 만들지 자세히 정리해드립니다! https://contents.premium.naver.com/growthresearch/growth 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi