삼성전자, 차세대 '4F2 VCT D램' 개발 재확인...CXMT 메모리 추격 대응

💻 삼성전자, 차세대 '4F2 VCT D램' 개발 재확인...CXMT 메모리 추격 대응 https://zdnet.co.kr/view/?no=20261014162447 CXMT가 4F2 서버 D램을 먼저 꺼내든 가운데 삼성도 같은 기술 개발을 공식 재확인하면서, 차세대 D램 경쟁이 미세화에서 ‘수직 구조 혁신’까지도 빠르게 넘어가고 있습니다. 📌 삼성도 4F2 개발 공식 재확인 송재혁 삼성전자 CTO는 SEDEX 2026 현장에서 4F2 기술 개발 여부에 대해 “그렇다”고 답변 삼성은 약 5년 전부터 관련 기술을 연구해왔으며, 최근 CXMT의 공개 선언 이후 다시 주목 구체적인 개발 단계나 양산 시점은 공개하지 않음 📌 4F2, D램 셀 면적 극단적으로 축소 4F2는 동일한 칩 면적에 더 많은 셀을 넣기 위해 셀 면적을 줄이는 차세대 구조 기존 미세공정만으로 집적도를 높이는 데 한계가 커지면서 구조 자체를 수직화하는 방향이 부각 삼성은 수직 채널 트랜지스터(VCT) 기반 3D D램 형태로 기술을 고도화 중 📌 차세대 노드 ‘D0a-V’ 적용 전망 업계에 따르면 삼성은 차세대 3D D램·수직 구조 공정 노드 ‘D0a’에 4F2 적용을 추진 내부 프로젝트 명칭은 ‘D0a-V’로 알려짐 결국 차세대 D램 경쟁이 선폭 미세화에서 셀 구조 혁신으로 넘어가는 흐름 📌 CXMT 추격, 삼성·SK 기술 전환 압박 CXMT가 서버용 D램에 4F2 적용 계획을 공개하며 중국 메모리 기술 추격 우려 확대 다만 CXMT의 구체적인 양산성·수율·성능은 아직 검증이 필요한 단계 삼성 입장에서는 기존 연구를 실제 양산 기술로 얼마나 빠르게 연결하느냐가 중요 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi