삼성전자, 2D NAND 플래시 생산 중단...화성 12라인 1c nm DRAM 공정 전환 (중국언론 인용)

>>삼성전자, 2D NAND 플래시 생산 중단...화성 12라인 1c nm DRAM 공정 전환 (중국언론 인용) •삼성전자가 이르면 올해 3월부터 화성캠퍼스 12라인에서 2D NAND 플래시 생산을 중단할 예정인 것으로 전해졌음. 이에 따라 삼성전자의 2D NAND 시대도 사실상 공식 종료 수순에 들어가게 됐음 •삼성전자는 이미 2013년 3D NAND(V-NAND) 양산에 성공했지만, 특수 니치 시장 수요 대응을 위해 소규모 2D NAND 생산능력을 유지. 향후 화성 12라인은 1c nm DRAM 메모리 제조에 투입될 예정, 후공정 단계인 금속 배선 및 표면 처리 공정을 담당하게 됨 (TheElec) >《科创板日报》26日讯,三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存,该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产,不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造,负责后端的金属布线和表面处理工艺。 (TheElec)(来自科创板日报APP)