삼성전자, ‘1c D램’ 대규모 증설 선언

✅ 삼성전자, ‘1c D램’ 대규모 증설 선언 삼성전자 내년 말까지 월 20만장 규모 확보 예정. 삼성전자가 차세대 D램(1c, 6세대)을 공격적으로 증설. HBM에서 밀렸던 흐름을 범용 D램 중심으로 되찾겠다는 전략이 명확. 📌 1) 1c D램 월 20만장...삼성 역사상 이례적 규모 올해 말: 6만장 내년 2분기까지: +8만장(총 14만장) 내년 4분기까지: +6만장(총 20만장) → a전체 D램(65~70만장)의 약 1/3 규모를 1c로 채움 → 2022년 호황기 증설(13만장)보다 훨씬 큰 투자 📌 2) 왜 1c에 몰빵하나? → D램 품귀 + AI 수요 폭발 HBM뿐 아니라 DDR5·모바일 D램까지 전방위 품귀 “만들기 전부터 예약되는 수준의 수요” 1c는 11nm급, EUV 다층 공정의 최신 노드로 원가·전력 효율 경쟁력↑ → 삼성: “AI 시대 중장기 수요 폭증 → 선제적 생산라인 확보 필요” 📌 3) SK하이닉스에 뺏긴 D램 1위 탈환 노림수 올해 1~3분기 D램 점유율 1위 = SK하이닉스 이유: HBM 공급 차질 → 삼성의 D램 출하도 동반 감소 → 1c 대규모 양산으로 범용 D램 시장에서 우위 회복 노림 📌 4) 평택 P4 라인이 중심 기존 라인 공정 전환 + P4 신규 라인 추가 투자 내년 말까지 “셋업 기준(장비 반입 완료 → 바로 양산 가능)” 구조 목표 📌 투자 시사점 이번 1c 대규모 증설은 HBM 경쟁력 회복의 기반 삼성은 HBM에서 하이닉스를 따라잡기 위해 → 최신 노드 D램(1c) 원재료 확보 → HBM 적층용 공급망 체력 강화 DDR5 수요도 강하지만, 1c의 핵심 목적은 HBM 원가·생산능력 우위 확보 내년부터 HBM4~HBM4E 전환이 빠르게 진행될 예정 → 최신 노드 D램 확보는 삼성의 HBM 전략과 직결 ✅독립리서치 그로쓰리서치 https://t.me/growthresearch