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메모리 쇼티지는 기회”...中 반도체 기업들 역대 최대 증설 나서
✅ “메모리 쇼티지는 기회”...中 반도체 기업들 역대 최대 증설 나서
https://biz.heraldcorp.com/article/10669337
📌 HBM 집중 투자 영향
삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 HBM 중심으로 CAPEX를 집행하면서 범용 DRAM·NAND 공급 부족 지속
→ 신규 증설도 HBM 비중 높아 쇼티지 해소 한계
📌 CXMT, DRAM 증설 본격화
CXMT
• 월 생산능력: 10.5만장 → 25~27만장 확대
• 서버·PC·차량용 DRAM + HBM 라인 구축, 2026년 양산 목표
• 글로벌 DRAM 점유율 5~7% → 2026년 13.9% 전망(Yole)
YMTC
• 3공장 중 50% DRAM 배정 계획
• NAND 점유율 2025년 12% → 2028년 15% 전망
• HBM 전환 가능성도 거론
📌 중국 업체, IPO 통한 자금 조달
• CXMT: IPO로 약 6조원 조달 예정(3~5월)
• YMTC: 연말 상장 추진
→ 생산라인 고도화·R&D 투자 확대
📌 핵심 리스크: 장비 제재
• 미국 수출 규제로 자국산 장비 주로 사용
• 1a(10nm급 4세대) 이하 공정 난이도 → 증설 대비 실질 생산 증가율 제한 가능성
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헤럴드경제
“메모리 쇼티지는 기회”…中 반도체 기업들 역대 최대 증설 나서
[헤럴드경제=김현일 기자] 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 세계 메모리 반도체 3강의 고대역폭메모리(HBM) 경쟁 격화로 범용 메모리 공급부족 사태 장기화하자 중국 메
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