삼성전자, 평택에 HBM4 핵심 ‘1c D램’ 라인 추가...공급난 돌파

✅삼성전자, 평택에 HBM4 핵심 ‘1c D램’ 라인 추가...공급난 돌파 https://n.news.naver.com/mnews/article/666/0000095522 📌삼성전자, 평택캠퍼스 P4에 1c(10nm 6세대) D램 신규 라인 구축 구축 완료 시점: 2027년 1분기까지 생산능력: 월 10만~12만 장(웨이퍼) → 삼성 D램 전체 캐파 최대 +18% 확대 📌1c D램 = HBM4 핵심 베이스 다이 HBM4는 1c D램 12개 적층 이달 중 HBM4 양산 공급 예정 엔비디아, AMD 등 빅테크 고객사 공급 목표 📌2026년 CAPEX 큰 폭 증가 이미 확보한 신규 팹·클린룸에 설비 투입 가속 D램: 1c 중심 낸드: V9 중심 선단 공정 확장 ✅그로쓰리서치 텔레그램 https://t.me/growthresearch