HBM 1등의 고민”... SK하이닉스, 파운드리 외주·D램 세대 전환 리스크 부상

✅ “HBM 1등의 고민”... SK하이닉스, 파운드리 외주·D램 세대 전환 리스크 부상 https://biz.chosun.com/it-science/ict/2026/02/13/H6M4IHAEHNDFNFSPWRLQ2ZCDHM/?utm_source=naver&utm_medium=original&utm_campaign=biz 📌 HBM4 경쟁 포인트 변화 HBM4부터는 메모리 다이 + 로직 다이(베이스 다이) 통합 성능이 핵심 메모리가 단순 저장을 넘어 연산 보조 역할 수행 → ‘시스템 반도체화’ 📌 삼성전자 vs SK하이닉스 전략 차이 삼성전자 - 세계 최초 HBM4 양산·출하 - 13Gbps 구현, 1c(6세대) D램 조기 투입 - 메모리·파운드리·패키징 수직계열화 → 로직 다이까지 직접 통제 SK하이닉스 - 로직 다이 TSMC 외주 구조 - 수율 안정성 이유로 1b(5세대) D램 유지 - 로직·메모리 통합 최적화 한계, 성능·발열 병목 우려 📌 하이닉스 기술·원가 측면 리스크 1b 공정은 13Gbps 이상 고속 구현에 물리적 한계 1c 대비 전력 효율·집적도 열세 → AI 데이터센터(전력·발열) 트렌드와 괴리 칩 면적 확대 → 웨이퍼당 생산량(Net Die) 감소, 중장기 원가 부담 📌 하이닉스 공급망 리스크 HBM4 핵심인 TSMC 선단 공정·CoWoS 캐파는 빅테크가 선점 생산 슬롯 확보 여부가 공급량 좌우 → 고객 맞춤 대응력 저하 미·중 갈등·대만 해협 리스크 → TSMC 의존 100% 구조의 불확실성 📌 포인트 HBM3E까지는 제조·수율 경쟁, HBM4부터는 시스템 통합·로직 다이 통제력 경쟁 파운드리 외주 구조가 지속될 경우, 자체 통합 역량을 갖춘 삼성과의 격차가 구조적으로 확대될 가능성 ✅그로쓰리서치 텔레그램 https://t.me/growthresearch