수직으로 세우고, 포개서 붙이고"...삼성 차세대 D램에 신기술 대거 적용

✅ "수직으로 세우고, 포개서 붙이고"...삼성 차세대 D램에 신기술 대거 적용 https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=52973 삼성전자가 반도체 학회 ISSCC 2026에서 차세대 DRAM 구조를 공개 DRAM 미세화 한계에 대응하기 위해 셀 구조 변경 + 수직 트랜지스터 + 웨이퍼 적층 기술을 적용하는 방식 📌 핵심 변화 DRAM 셀 구조 축소(기존: 6F2 구조, 신규: 4F2 구조) → 셀 면적 약 30% 감소, 웨이퍼당 생산량 약 20% 증가 📌 트랜지스터를 ‘수직’으로 변경 기존 DRAM: 수평 채널, 신규 DRAM: 수직 채널(VCT) → 미세화 시 발생하는 누설 전류 문제 완화 📌 웨이퍼 두 장을 붙이는 구조 셀, 주변회로를 각각 다른 웨이퍼에서 만든 뒤 붙이는 방식 → 공정 난도 완화, 고밀도 연결 가능 📌 현재 단계 16Gb DRAM 시제품 테스트 기본 신뢰성 확인, 아직 양산 단계는 아님 🔥 DRAM 미세화 한계를 넘기 위해 “셀 구조 + 트랜지스터 + 웨이퍼 적층”까지 바꾸는 차세대 DRAM 구조까지 공개 ✅그로쓰리서치 텔레그램 https://t.me/growthresearch