CXMT의 본딩 DRAM 시험 생산라인, 왜 한국 메모리 업계가 경계하는가?

>>CXMT의 본딩 DRAM 시험 생산라인, 왜 한국 메모리 업계가 경계하는가? (중국언론 인용) •창신메모리가 허페이에서 본딩 DRAM(Bonded DRAM) 시험 생산라인을 가동하고 있는 것으로 알려짐. DUV 다중 노광과 하이브리드 본딩 기술을 이용해 메모리 어레이와 주변 로직을 각각 제작한 뒤 결합하는 방식으로, EUV 없이도 고집적·고성능 DRAM을 구현하려는 전략 •한국 언론은 이를 ‘HBM 이후’ 시대의 잠재적 경쟁 기술로 평가하며, 중국이 본딩 DRAM과 HBM, YMTC의 NAND 본딩 기술을 바탕으로 삼성전자와 SK하이닉스의 기술 격차를 좁힐 가능성을 우려하고 있음. 또한 SemiAnalysis는 CXMT의 월 웨이퍼 생산능력이 2026년 말 약 35만 장에 이를 것으로 전망해, 기술 발전과 생산능력 확대가 동시에 진행되고 있다는 점도 주목받고 있음 •Hybrid Bonding은 칩을 직접 연결하는 공정 기술이고, Bonded DRAM은 DRAM 구조 자체를 바꾸는 설계 방식임. 기존 DRAM이 메모리와 로직을 하나의 칩에 함께 구현했다면, Bonded DRAM은 이를 각각 최적 공정으로 제작한 뒤 결합해 성능과 집적도를 높이려는 접근법임. 이는 EUV 의존도를 낮추면서도 경쟁력을 확보하려는 CXMT의 우회 전략으로 평가 >长鑫存储的一条键合DRAM试验线,为什么让韩国存储产业警觉? https://wallstreetcn.com/member/articles/3776451#from=ios