삼성, HBM5에 2nm GAA 공정 적용 공식 확인...HBM4E 대비 속도 50% 이상 향상

>>삼성, HBM5에 2nm GAA 공정 적용 공식 확인...HBM4E 대비 속도 50% 이상 향상 (중국언론 인용) •삼성전자가 차세대 HBM5의 핵심 기술 로드맵을 처음으로 공식 공개했음. •삼성은 HBM5의 로직 다이에 2nm GAA 공정을 적용할 예정이며, HBM4E 대비 전송 속도를 50% 이상 높이고 전력 효율도 크게 개선할 계획 •또한 삼성은 테슬라의 차량용 2nm 공정 수주를 확보했으며, AI 기업과 클라우드 서비스 업체들로부터 추가 주문도 지속적으로 확보하고 있다고 설명 •이번 발표는 삼성이 차세대 HBM 시장에서 경쟁력을 회복하고 주도권을 되찾을 수 있을지를 가늠하는 중요한 신호로 평가 >三星确认HBM5将采用2纳米GAA工艺,速度较HBM4E提升50%以上 https://wallstreetcn.com/articles/3778001#from=ios