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SK하이닉스, EUV 투자 3배 확대...1c D램 강화

growthresearch ↗ · 2026-04-06 10:16
#이닉스#삼성전자#SK하이닉스
✅ SK하이닉스, EUV 투자 3배 확대...1c D램 강화 https://dealsite.co.kr/articles/159689 📌 1c D램 전략 변화 하이닉스, 10nm급 6세대(1c) D램 고도화 가속 기존: 범용 D램 중심 적용 → 현재: HBM까지 확대 HBM4E 대응 차원, 핵심 고객사는 엔비디아 📌 수율 및 기술력 초기 수율 부진 → 현재 약 80% 수준 도달 안정화 단계 진입, HBM 적용 가능 수준 확보 📌 공정 경쟁 EUV 레이어: 1c에서 5개 이상 확대 삼성전자도 유사 수준으로 조정 📌 생산 전략 올해 D램 캐파 절반 이상 1c 전환 연말 기준 약 19만 장 생산능력 확보 예상 📌 핵심 포인트 HBM + 선단 공정 동시 강화 전략 공격적 EUV 투자 → 기술 격차 확대 시도 AI 메모리 주도권 경쟁 본격화 ✅ 독립리서치 그로쓰리서치 https://t.me/growthresearch
딜사이트
SK하이닉스, EUV 투자 3배 확대…1c D램 강화 - 딜사이트
SK하이닉스가 선단 공정인 10나노급 6세대(1c) D램 경쟁력 강화에 속도를 내고 있다. 해당 공정에 활용될 극자외선(EUV) 장비 투자도 당초 계획보다 3배가량 확대했다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 올해 샘플 납품을 목표로 하는 7세대 고대역폭메모리(HBM) HBM4E 코어 다이에 적용될 1c D램 기술 고도화에 집중하고 있다. HBM 최대 고객사

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