삼성전자, HBM4용 D램 수율 개선 총력전... "하반기 중 완성 단계 목표"

💻삼성전자, HBM4용 D램 수율 개선 총력전... "하반기 중 완성 단계 목표" https://biz.chosun.com/it-science/ict/2026/04/15/JG4NUPA6SFDVTISQZK3NIKXHNY 📍1c D램 수율 성과 10나노 6세대(1c) D램 수율이 최근 성숙 수율(80% 이상)에 도달한 것으로 평가 첨단 D램 공정 안정화의 긍정적인 신호로 해석 📍 HBM4 실효 수율은 아직 과제 HBM4용 D램의 실효 수율은 60% 미만으로 추정 적층, 패키징, 발열 제어, 신호 안정성 등 추가 공정으로 인해 범용 D램보다 난도가 높음 올 하반기 수율 완성 단계 진입을 목표로 개선 작업 진행 중 📍수율이 경쟁력의 핵심 HBM 시장에서는 초기 진입보다 안정적인 대량 공급 능력이 더 중요 낮은 수율은 생산량 확보와 수익성 악화로 이어질 가능성 📍비용 구조와 전략적 의미 삼성은 경쟁사 대비 더 많은 EUV 레이어를 사용해 공정 복잡도와 비용 부담 높음 수율 안정화가 원가 경쟁력 확보와 시장 점유율 확대의 핵심 변수로 작용 📍시장 경쟁 구도 HBM4 성능을 앞세워 SK하이닉스와의 주도권 경쟁이 본격화 1c D램 수율 개선은 공정 정상화의 신호이며, HBM4 실효 수율 확보가 AI 메모리 시장 주도권을 좌우할 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi