NAND 400단 경쟁 본격화: 삼성·SK하이닉스·키옥시아의 기술 로드맵

💻 NAND 400단 경쟁 본격화: 삼성·SK하이닉스·키옥시아의 기술 로드맵 400단 NAND가 차세대 기술 경쟁의 핵심으로 부상. 다만 이제는 단순 적층 수 경쟁이 아니라 성능·전력·수율을 높이는 구조 혁신이 승부처가 되고 있음. 📌 삼성전자 (V10, 400단급) 현재 상용 최고 제품: 286단 9세대 NAND 중간 세대 건너뛰고 V10(400단급)으로 직행 핵심 기술 - Cryogenic Etching(극저온 식각): 초고단 구조의 깊은 채널홀 가공 - W2W(Wafer-to-Wafer) Bonding: 셀과 주변회로를 별도 웨이퍼 제작 후 접합 - 레이저 다이싱: 파티클 감소 및 수율 개선 목표: 2026년 하반기 양산 📌 SK하이닉스 (375단 NAND) 당초 400단 목표였으나 제조 난이도로 375단으로 조정 핵심 기술 - 몰리브덴(Mo) 워드라인 적용 확대 - 텅스텐 대비 저항 감소 → 신호 전달 속도 개선 - 읽기/쓰기 성능 향상 기대 연내 양산 추진 📌 키옥시아 (BiCS10, 332단) 샘플 출하 목표: 2026년 여름 핵심 기술 - CBA(CMOS Directly Bonded to Array) 구조 - 셀과 주변회로를 분리 제작 후 접합 - 면적당 저장밀도 +59% - 데이터 전송속도 +33% - 읽기 지연시간 4μs 감소 - 읽기 전력소모 29% 절감 비선택 워드라인 전압 제어 최적화로 고단 NAND 효율 개선 📌 관전 포인트 과거에는 "누가 더 많은 단을 쌓느냐"가 핵심이었다면, 이제는 Bonding 기술, 몰리브덴 적용, 전력 최적화 등 아키텍처 혁신이 성능 경쟁의 중심으로 이동 중. 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi