삼성 파운드리, HBM5에 '2나노 GAA' 전격 도입...AI 반도체 패권 쥔다

💻 삼성 파운드리, HBM5에 '2나노 GAA' 전격 도입...AI 반도체 패권 쥔다 https://view.asiae.co.kr/article/2026072709122053694 📌 HBM5 기술 로드맵 공개 삼성전자가 8세대 고대역폭메모리 HBM5 베이스 다이에 2나노 GAA 공정을 적용할 계획 HBM5는 HBM4E 대비 동작 속도를 50% 이상 높이는 것이 목표 2나노 GAA를 통해 집적도를 높이고, 더 촘촘한 TSV 구조를 구현할 방침 📌 메모리·파운드리·패키징 턴키 전략 삼성전자는 메모리, 파운드리, TSP 조직이 설계 단계부터 공동 대응 속도·전력·발열·수율을 동시에 최적화하고 제품 개발 기간을 단축하는 구조 HBM4 베이스 다이는 첫 샘플부터 성능·수율 목표를 달성했으며, 전체 과정이 약 3개월 만에 진행 📌 2나노 양산 로드맵 본격화 지난해 하반기 2나노 1세대 공정 양산을 시작 올해 하반기에는 수율과 성능을 개선한 2나노 2세대 모바일 제품 양산 예정 향후 HBM5를 포함한 AI·HPC용 선단 공정으로 적용 범위를 확대 💻반도체 소부장💻 [그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi