외계인이라도 납치했나”...HBM 속도 50% 끌어올리겠다는 삼성전자

💻 “외계인이라도 납치했나”...HBM 속도 50% 끌어올리겠다는 삼성전자 https://www.mk.co.kr/news/business/12109042 📌 HBM5, 2나노 GAA로 성능 점프 HBM5 베이스 다이에 최선단 2나노 GAA 공정 적용 HBM4E 대비 동작 속도 50% 이상 향상이 개발 목표 전력 효율과 TSV 집적도를 높여 차세대 AI·HPC 수요 대응 📌 첫 샘플부터 성능·수율 목표 달성 HBM4 베이스 다이 공정 셋업과 샘플 개발을 약 3개월 만에 완료 첫 샘플부터 성능과 수율 목표를 동시에 달성 후속 HBM 제품에도 활용 가능한 공정 셋업 기준 확보 📌 베이스 다이가 HBM 경쟁력 좌우 HBM4E 베이스 다이에 4세대 4나노 공정 적용 고집적 소자와 배선 최적화로 14Gbps 이상 고속 동작 구현 전력 소모와 발열까지 개선하며 베이스 다이 경쟁력 입증 📌 메모리·파운드리·패키징 턴키 시너지 설계 단계부터 메모리·파운드리·패키징 조직이 공동 참여 속도·전력·발열·수율을 동시에 최적화해 개발 기간과 비용 절감 AI·HPC·전장·로보틱스로 고객 기반 확대 추진 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi