삼성전자, FMS 2026서 3D 메모리 로드맵 공개 — zHBM으로 HBM5 대비 8배 성능 목표

💻 삼성전자, FMS 2026서 3D 메모리 로드맵 공개 — zHBM으로 HBM5 대비 8배 성능 목표 📌 행사 개요 ・삼성전자, '퓨처 오브 메모리&스토리지(FMS) 2026' 컨퍼런스에서 AI·HPC向 최신 메모리·스토리지 기술 공개 ・기조연설 제목: "AI 혁명의 물결을 이끄는 3D 혁신 — 메모리·스토리지 아키텍처" — 3차원 메모리 구조를 통한 시스템 성능·전력효율·열관리 개선에 초점 ・플래시제품&기술 담당 이진협 부사장, D램설계팀 김경륜 프로젝트리더가 발표 ・AI 클라우드 서버를 형상화한 부스에서 zHBM, zNAND-O, V10 본딩 V낸드, HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, 엔터프라이즈 SSD(PM1763·BM1773) 등 약 30개 기술 전시 📌 zHBM — AI가속기 바로 위에 메모리 수직 적층 ・차세대 HBM 아키텍처로, 기존처럼 HBM 패키지를 프로세서 옆에 배치하는 방식과 달리 AI가속기 바로 위에 HBM을 수직으로 적층 ・메모리를 가속기에 더 가깝게 배치해 데이터 이동 거리를 줄이는 방식 — 대규모 AI 학습·추론의 데이터 이동 수요를 뒷받침하기 위한 대역폭 확대·전력소비 절감이 목표 ・성능 비교: zHBM 기반 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 약 8배 성능 제공 전망 ・HBM5 대비 메모리 밀도 10배 이상, 에너지효율 3배, 열저항 50% 이상 감소 기대 ・고객 맞춤형 구성 지원 — 메모리 스택과 AI가속기 사이 인터레이어에 커스텀 IP를 통합해 워크로드별 용량·가속기 기능을 맞춤화 가능 📌 zNAND-O — 엣지 AI向 고성능 낸드 ・자사 V낸드 기술 기반의 고성능 낸드 컨셉, 4단·8단 레이어 구성으로 공간효율·I/O 성능·지연시간 개선 목표 ・대규모 데이터를 최소 지연으로 처리해야 하는 엣지 AI 시스템向으로 포지셔닝 — 중앙 데이터센터로 데이터를 항상 전송할 수 없는 실시간 애플리케이션 지원 목적 📌 V10 BV낸드 — 400단 돌파, 업계 최초 웨이퍼 본딩 ・웨이퍼 본딩 기술로 메모리 셀을 적층하는 본딩 V낸드 아키텍처, 업계 최초로 공개 — 400단 이상 적층으로 삼성이 공개한 V낸드 라인업 중 최고 단수 ・V9 대비 메모리 밀도 약 58% 증가, 용량 확대와 함께 읽기·쓰기·I/O 성능 개선 및 소비전력 절감도 목표 ・2013년 삼성이 업계 최초 V낸드 기술을 공개(당시 FMS)한 지 13년 만의 발표 ・차세대 AI 시스템 및 데이터집약적 애플리케이션向 대용량·고성능 스토리지를 타깃 📌 HBM4E·HBM5·LPDDR5X-PIM — AI 메모리 포트폴리오 확장 ・차세대 AI가속기向 로드맵으로 HBM4E 샘플과 HBM5 모델 제시 ・지난 2월 1c D램·4nm 베이스다이 기반 업계 최초 HBM4 양산 개시, 5월에는 업계 최초 HBM4E 샘플을 글로벌 고객사에 출하 ・LPDDR5X-PIM 시연 — 업계 최초의 PIM(프로세싱인메모리) 기술 적용 LPDDR 메모리라고 소개, 선별된 데이터 처리 연산을 메모리 내부에서 직접 수행해 메모리-프로세서 간 데이터 이동을 줄이는 설계 📌 엔터프라이즈 스토리지 ・PCIe Gen6 PM1763(7월 양산 개시)과 BM1773 시연 — AI 데이터센터의 확대되는 스토리지 요구를 지원하기 위한 제품 ・AI 학습 데이터, 모델 저장소, 추론 워크로드에 필요한 대용량·고성능 요구사항을 메모리 로드맵과 함께 보완 💻 반도체 소부장 💻 [그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi