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삼성전자, 1나노부터 고개구율 EUV 기술 적용
💻 삼성전자, 1나노부터 고개구율 EUV 기술 적용
http://zdnet.co.kr/view/?no=20260811134353
📌 1나노 공정부터 노광 기술 전환
삼성전자는 High-NA EUV를 1나노급부터 본격 적용할 계획
현재 2나노까지 상용화, 2029년 1.4나노 양산 목표
2030년 1나노 공정 진입과 함께 차세대 노광 적용 예상
📌 High-NA로 싱글 패터닝 확대
렌즈 개구수는 기존 0.33에서 0.55로 향상
기존 EUV 멀티 패터닝 공정을 싱글 패터닝으로 단순화 가능
공정 수 감소로 비용 절감과 생산성 개선 기대
📌 2·1.4나노는 기존 EUV 중심
삼성은 2나노·1.4나노까지 0.33 NA EUV를 주력 사용
High-NA는 아직 마스크·펠리클 등 기술 보완 필요
단기적으로 기존 EUV와 High-NA 혼용 가능성
📌 ASML High-NA 생태계 수요 확대
1나노 이하 공정부터 High-NA 적용 필요성이 본격화
노광 장비뿐 아니라 마스크·펠리클 소재 고도화도 필수
2030년 전후 첨단 파운드리 투자 사이클의 핵심 장비로 부각
💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치]
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zdnet.co.kr
삼성전자, 1나노부터 고개구율 EUV 기술 적용
삼성전자가 이르면 오는 2030년께 상용화될 1나노미터(nm) 공정부터 노광 기술 혁신에 나선다. 차세대 극자외선(EUV) 기술인 '고개구율(High-NA) EUV'를 1나노에 양산 적용할 계획으로, 현재 상용화를 위한 기술 개발에 집중하고 있다.박창민 삼성전자 마스터는 ...
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